X射線線陣列探測(cè)系統(tǒng)
英國Sens-Tech 公司是X 射線探測(cè)器和信號(hào)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的專業(yè)開發(fā)商、供應(yīng)商,其在X 射線線掃描成像和CT 領(lǐng)域擁有豐富且成功的經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)。Sens-Tech 的系統(tǒng)集成信號(hào)探測(cè)、模擬信號(hào)放大、數(shù)字信號(hào)輸出于一體,有多種控制功能可選擇,可方便的與計(jì)算機(jī)連接,實(shí)現(xiàn)圖像或信號(hào)的數(shù)字化處理。
X射線線陣列探測(cè)系統(tǒng)
探測(cè)器有硅光電二管陣列和閃爍晶體組成。二管陣列可以是一維或者兩維掃描方式, 由具體應(yīng)用決定。選擇探測(cè)器需要充分考慮光譜響應(yīng)、電容、暗電流、靈敏度、探測(cè)面積以及串?dāng)_的影響,并選用與閃爍晶體的發(fā)射波段相匹配的探測(cè)器。并盡可能降低暗噪聲,減小偏移量,獲得的響應(yīng)。同時(shí),讓各探測(cè)單元的探測(cè)面積和串?dāng)_達(dá)到*化。
閃爍晶體根據(jù)探測(cè)能量的不同,厚度和尺寸可以根據(jù)用戶的要求進(jìn)行定制。
Sens-Tech 公司目前主要提供四種X 射線數(shù)據(jù)采集產(chǎn)品:XDAS-V3 系列、XDAS-HE 系列、LINX 系列
Sens-Tech 標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的參數(shù)
材料  | 厚度  | 能量范圍  | 每單位能量的信號(hào)輸出  | 信號(hào)衰減時(shí)間  | 備注  | 
Silicon   | 300μm   | 5-30keV   | zui高,直接轉(zhuǎn)化  | 1us (非偏置)   | 光電二管直接探測(cè),不使用閃爍晶體  | 
Gadox(Tb)   | 0.31mm   | 20-100keV   | 近似CsI   | 2-3ms   | 熒光條,無法進(jìn)行像素分割來防止串?dāng)_  | 
Gadox A   | 0.2mm   | 低于Gadox(Tb)20%   | <1ms   |    | 
Gadox B   | 0.4mm   | 高于Gadox(Tb)10%   | <1ms   |    | 
CsI(Tl)   | 0.4-4mm   | 40-160keV   | 光轉(zhuǎn)換效率zui高  | 2個(gè)不同的衰減時(shí)間, 微妙級(jí)  | 像素被分割成陣列,以減少串?dāng)_  | 
CdWO4   | 2.5-30mm   | 150keV-9MeV   | 約為CsI的25%   | 20us   | 像素被分割成陣列,以減少串?dāng)_,價(jià)格昂貴  | 
GOS   | 2.9mm   | 100-200keV   | 20% than CdWO4   | 3us   | 抗強(qiáng)輻射  |